来源：

   温室园艺·农业工程技术2018年第1期

作者：

    本刊编辑部 张瑜

摘要：

    中国半导体照明关键技术与国际水平差距不断缩小，2014 年大功率白光LED 实验室光效达到160 lm/W，功率型白光LED 产业化光效达150 lm/W；具有自主知识产权的功率型硅基LED 芯片产业化光效达到140 lm/W；在国际上率先突破纳米图形衬底（NPSS）外延高质量AlN 及深紫外LED， 深紫外LED发光波长293 nm，在20 mA 电流下输出功率超过4 mW；OLED 器件光效达到97 lm/W，寿命超过10000 h。

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